Một bước đột phá lịch sử trong ngành công nghệ lưu trữ vừa được ghi nhận tại Đại học Phúc Đán (Fudan University), Thượng Hải, Trung Quốc. Nhóm nghiên cứu tại đây đã công bố loại bộ nhớ flash thế hệ mới mang tên PoX (Poxiao) – thiết bị có tốc độ ghi/xóa nhanh nhất từng được phát triển, nhanh gấp hơn 10.000 lần so với SSD hiện tại và thậm chí còn vượt trội hơn cả bộ nhớ bay hơi nhanh nhất như SRAM, DRAM.
1. PoX là gì?
PoX, viết tắt từ “Poxiao” – trong tiếng Trung nghĩa là bình minh, là một loại bộ nhớ flash mới sử dụng vật liệu graphene Dirac hai chiều (2D Dirac graphene) và kiến trúc bán dẫn hoàn toàn khác biệt so với công nghệ truyền thống.
Trong thử nghiệm thực tế, PoX ghi dữ liệu chỉ trong 400 picosecond – tương đương 0,0000000000004 giây, thiết lập kỷ lục thế giới mới về tốc độ xử lý bộ nhớ. So sánh với các công nghệ hiện tại:
| Công nghệ | Tốc độ ghi/xóa | Ghi chú |
|---|---|---|
| SSD | 1–10 mili giây | Chậm nhưng lưu trữ lâu dài |
| DRAM | 1–10 nanosecond | Nhanh nhưng mất dữ liệu khi mất điện |
| SRAM | 1 nanosecond | Rất nhanh, nhưng chi phí cực cao |
| PoX | 400 picosecond | Vừa nhanh vừa không bay hơi |
2. Công nghệ đứng sau đột phá: Graphene Dirac 2D & Bơm siêu phun 2D
Trái tim của PoX nằm ở vật liệu graphene Dirac hai chiều, một vật liệu mỏng hơn cả nguyên tử carbon nhưng sở hữu đặc tính dẫn điện siêu nhanh. Nhóm nghiên cứu tại Fudan còn ứng dụng một hiện tượng gọi là “bơm siêu phun 2D” (2D super-injection) bằng cách điều chỉnh độ dài Gaussian của kênh bộ nhớ, giúp các electron di chuyển cực nhanh vào lớp lưu trữ mà không cần giai đoạn làm nóng trung gian như chip truyền thống.
“Chúng tôi sử dụng các thuật toán AI để tối ưu hóa điều kiện kiểm tra trong quá trình thử nghiệm, từ đó đạt được kết quả đột phá này.” – GS Zhou Peng, trưởng nhóm nghiên cứu chia sẻ.
3. Kết hợp sức mạnh của RAM và SSD – PoX là tương lai của bộ nhớ hợp nhất
Một trong những điểm sáng lớn nhất của PoX chính là tính chất “không bay hơi” (non-volatile) giống bộ nhớ flash, nhưng có tốc độ ngang thậm chí vượt bộ nhớ DRAM.
4. Ý nghĩa của điều này là gì?
-
RAM (SRAM, DRAM) rất nhanh nhưng mất dữ liệu khi mất điện.
-
Flash (SSD, USB) giữ được dữ liệu nhưng tốc độ chậm.
-
PoX kết hợp cả hai: vừa nhanh, vừa lưu trữ bền vững, vừa tiết kiệm năng lượng.
Kết quả? AI có thể chạy trực tiếp trên thiết bị cá nhân như điện thoại, laptop mà không cần đám mây, giảm độ trễ, tăng bảo mật và tiết kiệm chi phí.
5. PoX vẫn còn ở giai đoạn thử nghiệm – nhưng tương lai rất gần
Mặc dù mới chỉ là nguyên mẫu kích thước kilobyte, PoX đã hoàn thành tape-out với đầy đủ chức năng. Nhóm nghiên cứu cho biết:
“Chúng tôi đặt mục tiêu nâng cấp dung lượng PoX lên hàng chục megabyte trong 3 đến 5 năm tới, và tiến hành cấp phép công nghệ cho các công ty công nghiệp hóa.”
Hiện họ đang làm việc chặt chẽ với các đối tác sản xuất chip để thương mại hóa công nghệ này.

6. PoX sẽ thay đổi thế giới như thế nào?
Với người dùng cá nhân:
-
Chạy AI ngay trên smartphone mà không cần internet
-
Laptop không còn cần SSD và RAM riêng biệt
-
Trải nghiệm siêu mượt, tiết kiệm pin, không lo nóng máy
Với doanh nghiệp & công nghiệp:
-
Tối ưu hệ thống máy chủ, giảm điện năng, tăng hiệu suất
-
Triển khai AI tốc độ cao tại chỗ (edge computing)
-
Ứng dụng trong các lĩnh vực đòi hỏi thời gian thực: y tế, xe tự hành, quốc phòng…
7. Kết luận: PoX – ngòi nổ cho cuộc cách mạng bộ nhớ AI
PoX có tiềm năng không chỉ thay đổi cách lưu trữ dữ liệu, mà còn định nghĩa lại toàn bộ kiến trúc máy tính hiện đại. Với tốc độ đáng kinh ngạc và tính ổn định cao, nó có thể là “mảnh ghép còn thiếu” giúp AI thực sự bước vào đời sống hàng ngày.
Tuy nhiên, rào cản lớn nhất hiện nay là mở rộng dung lượng và giảm chi phí sản xuất để phù hợp với thị trường tiêu dùng đại trà. Nhưng nếu vượt qua được, bộ nhớ flash PoX có thể trở thành chuẩn mực mới trong công nghệ bộ nhớ toàn cầu.

Đọc thêm: Robot hình người XPENG – Trợ lý AI thông minh cho gia đình, văn phòng và sản xuất 2025


